5.阳极溶出伏安法

  阳极溶出伏安法,是将电化学富集与测定方法有机地结合在一起的一种方法。先将被测物质通过阴极还原富集在一个固定的微电极上,再由负向正电位方向扫描溶出,根据溶出极化曲线来进行分析测定。
  富集是一个控制阴极电位的电解过程。电积的分数x与电积时间tx的关系是
            
式中v是溶液体积,δ是扩散层厚度,A是电极面积,D是扩散系数。增大电极面积,加快搅拌速度以减小扩散层厚度,可以缩短电积富集时间。电积分数与起始浓度无关。
  富集效果可用富集因数K表示。富集因数定义为被测物质电积到汞电极中的汞齐浓度CH与被测物质在溶液中的原始浓度C之比,
            k = CH/C = nx/nH
式中nH是汞电极体积。
  用于电解富集的电极有悬汞电极、汞膜电极和固体电极。悬汞电极的面积不能过大,大的悬汞易于脱落。用悬汞电极测定的灵敏度并不太高,但再现性好。汞膜电极面积大,同样的汞量做成厚度为20-10000的汞膜,其电极表面积比悬汞大得多,电积效率高。而且搅拌速度可以加快。因此,溶出峰尖锐,分辨能力高、灵敏度比悬汞电极高出1-2个数量级。汞膜电极的缺点,是再现性不如悬汞电极。现已成功应用的汞膜电极有玻璃汞膜电极。测定AgAuHg需用固体电极。AgAuPtC等常用作固体电极,缺点是电极面积与电积金属的活性可能发生连续变化,表面氧化层的形成,影响测定的再现性。
  溶出时可在各种极谱仪上进行。溶出方法是以一定速度由负电位向正电位扫描电压,得到阳极溶出极化曲线,如图1.26所示。峰电位与经典极谱波E1/2相应。阳极溶出产生很大的氧化电流。对悬汞电极,峰电流为
         iP = Kn2/3D02/3w1/2h-1/6DR1/2rn1/2C0t
对汞膜电极,峰电流
         iP = Kn2 D02/3w1/2h-1/6 AnC0t
式中n是参与电极反应的电子数,D0DR分别是被测物质在溶液和汞内的扩散系数,ω为电解富集时的搅拌速度,η是溶液的粘度,r是悬汞半径,A是汞膜电极表面积,υ是扫描速度,t是电解富集时间,C0是被测物质在溶液中的浓度。在实验条件一定时,IpC0成正比。
图1.26 阳极溶出极化曲线
  除阳极溶出伏安法之外,还有阴极溶出伏安法。阴极溶出伏安法常用银电极和汞电极。在正电位下,电极本身氧化溶解生成Ag+Hg2+,它们与溶液中的微量阴离子如Cl-Br-l-等生成难溶化合物薄膜聚附于电极表面,使阴离子得到富集。然后将电极电位向负方向移动,进行负电位扫描溶出,得到阴极溶出极化曲线。溶出峰对不同阴离子的难溶盐是特征的,峰电流正比于难溶盐的沉积量。阴极溶出法已用来测定Cl-Br-I-S2-等。
  溶出伏安法最大的优点是灵敏度非常高,阳极溶出法检出限可达10-12mol/l,阴极溶出法检出限可达10-9mol/l。溶出伏安法测定精度良好,能同时进行多组分测定,且不需要贵重仪器,是很有用的高灵敏分析方法。